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La espectroscopia Raman es capaz de investigar el desorden en el grafeno a través de picos activados por defectos. Es de gran interés vincular estas características a la naturaleza del desorden. Aquí presentamos un análisis detallado de los espectros Raman del grafeno que contiene diferentes tipos de defectos. Encontramos que la relación de intensidad de los picos D y D' es máxima (∼13) para defectos sp(3), disminuye para defectos similares a vacantes (∼7) y alcanza un mínimo para los límites en el grafito (∼3.5). Esto convierte a la espectroscopia Raman en una herramienta poderosa para caracterizar completamente el grafeno.
Eckmann et al. (Fri,) estudiaron esta cuestión.