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Los fotodetectores basados en semiconductores inorgánicos han estado sufriendo de velocidades de respuesta lentas, las cuales son causadas por la fotoconductividad persistente de los materiales semiconductores. Para lograr dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad, se aplicaron películas delgadas de perovskita de haluro organometálico sobre electrodos de Au en patrón interdigitado (IDT), y se lograron detectores fotoconductivos de estructura simétrica. Los detectores eran sensibles a las señales de luz incidente, y las fotocorrientes de los dispositivos eran de 2 a 3 órdenes de magnitud mayores que las corrientes oscuras. Las responsividades de los dispositivos podían alcanzar hasta 55 mA W(1-). Más importante aún, los detectores tienen un tiempo de respuesta rápido de menos de 20 μs. La reorganización del dipolo inducida por la luz y el sesgo en las películas delgadas de perovskita de haluro organometálico ha resultado en la inestabilidad de las fotocorrientes, y los nanohilos de Ag podrían acelerar el proceso de alineación del dipolo y estabilizar las fotocorrientes de los dispositivos.
Wang et al. (Tue,) estudiaron esta cuestión.