Fotodetector tipo plano de alto rendimiento sobre la cara (100) de cristal único de MAPbI3

Recientemente, el descubrimiento de perovskitas de haluros organometálicos proporciona rutas prometedoras para fabricar dispositivos optoelectrónicos de bajo costo y alto rendimiento. Los estudios experimentales previos de dispositivos optoelectrónicos de MAPbI3, como fotodetectores y celdas solares, normalmente se basan en películas policristalinas. En este trabajo, se propone un fotodetector tipo plano de alto rendimiento fabricado en la cara (100) de un cristal único de MAPbI3. Demostramos que el fotodetector basado en cristal único de MAPbI3 puede funcionar mucho mejor que su contraparte en película policristalina. La baja densidad de trampas del cristal único de MAPbI3 explica la mayor movilidad de portadores y la longitud de difusión de portadores más larga, lo que resulta en un incremento significativo del rendimiento del fotodetector de MAPbI3. En comparación con fotodetectores tipo plano similares basados en película policristalina de MAPbI3, nuestro fotodetector de cristal único de MAPbI3 mostró un excelente rendimiento con buena estabilidad y durabilidad, un espectro de respuesta más amplio hacia la región del infrarrojo cercano, aproximadamente 10(2) veces mayor sensibilidad y EQE, y aproximadamente 10(3) veces más rápida velocidad de respuesta. Estos resultados pueden allanar el camino para la explotación de fotodetectores de perovskitas de alto rendimiento basados en cristal único.