Transistores de Efecto de Campo Orgánicos de Baja Tensión con una Capa Semiconductora de 2-Tridecilo1benzo[thiophene]3,2-b1benzotiophene

Se realizó un patrón de sustitución n-alquilo asimétrico en 2-tridecilo1benzo[thiophene]3,2-b1benzotiophene (C(13)-BTBT) para mejorar las propiedades de transporte de carga en transistores orgánicos de película delgada. Obtuvimos mobilidades de agujeros grandes de hasta 17.2 cm(2)/(V·s) en dispositivos de funcionamiento a baja tensión. La gran movilidad se relaciona con capas densamente empaquetadas de los sistemas π de BTBT en la interfaz del canal dedicada al motivo de sustitución y confirmada por mediciones de reflectividad de rayos X. Los dispositivos exhiben una estabilidad prometedora en operación continua durante varias horas en aire ambiente.