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Se ha estudiado la generación óptica de segundo armónico en películas delgadas de AlN depositadas por sputtering en radiofrecuencia para longitudes de onda armónicas desde el ultravioleta hasta el infrarrojo cercano. La no linealidad de segundo orden efectiva χ(2)(ω) se determinó con un valor de fondo no resonante de ∼5×10−9 esu para longitudes de onda de segundo armónico mayores de 400 nm, y aumenta drásticamente a medida que la frecuencia de segundo armónico se aproxima al bandgap de 6.2 eV. Esto se debe probablemente a la resonancia de la frecuencia de segundo armónico con la transición de punto crítico asociada con el bandgap directo del AlN.
Lundquist et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.
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