Memristor de doble capa de MoS2 vertical con metalización electroquímica como sinapsis a escala atómica con umbrales de conmutación que se acercan a 100 mV

capas dobles para formar filamentos a escala atómica. El grosor a escala atómica, combinado con la metalización electroquímica, reduce los voltajes de conmutación a 0.1-0.2 V, comparable con lo último en tecnología. Además, nuestro memristor logra conmutación bipolar y analógica consistente, y por lo tanto exhibe un comportamiento de aprendizaje similar al de la sinapsis, como la plasticidad dependiente del tiempo de espiga (STDP), la primera demostración de STDP entre todos los memristores verticales basados en materiales 2D. La STDP demostrada con bajos voltajes de conmutación es prometedora no solo para la computación neuromórfica de bajo consumo, sino también desde el punto de vista de que el rango de voltaje se acerca a los potenciales de acción biológicos, abriendo la posibilidad de una interfaz directa con redes neuronales mamíferas.