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La memoria de conmutación resistiva (RRAM) se encuentra entre las tecnologías más prometedoras para memoria de clase de almacenamiento (SCM) y memoria no volátil embebida (eNVM). La viabilidad de RRAM como SCM y/o memoria embebida requiere una alta relación on/off, buena resistencia, alta retención y la disponibilidad de un elemento de selección robusto para la integración en matrices cruzadas. Este trabajo presenta RRAM Ti/SiO x con alta relación on/off (>10 4), buena resistencia (>10 7), alta uniformidad y fuerte retención (260°C durante 1 hora), gracias al alto ancho de banda de SiO x. Los dispositivos Ag/SiO x muestran conmutación volátil con alta relación on/off (> 10 7) y operación bidireccional aplicable a dispositivos de selección en matrices cruzadas.
Bricalli et al. (Thu,) estudiaron esta cuestión.