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Se investiga el efecto del desorden térmico y estructural en la estructura electrónica del silicio amorfo hidrogenado mediante la medición de la forma del límite de absorción óptica en función de la temperatura y la evolución térmica del hidrógeno. Los datos son consistentes con la idea de que el desorden térmico y estructural son aditivos, y sugieren que el desorden, en lugar del contenido de hidrógeno, es el factor determinante fundamental en la banda prohibida óptica.
Cody et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.