Absorción Óptica de Estados Superficiales en Superficies de Ge y Si Clevadas en Ultravioleta Alto

Se ha medido directamente la absorción óptica debido a estados superficiales en superficies de Ge y Si clevadas en ultrahigh vacuum. Los resultados muestran una absorción que se extiende a energías por debajo del borde, que desaparece cuando las superficies clevadas son oxidantes. Se discuten posibles transiciones ópticas que dan lugar a esta absorción. Se concluye que los procesos dominantes son transiciones entre dos bandas de estados superficiales ubicadas en la brecha. Combinando los resultados actuales con datos fotoeléctricos, se da la posición energética de las bandas superficiales en Si.