Efecto de la tensión en la morfología superficial de películas de InGaAs altamente tensadas

Las primeras etapas del crecimiento de InₗGa₁-ₗAs altamente tensado sobre GaAs (100) han sido investigadas en función de la composición. La evolución de la microestructura de la película, determinada por STM in situ y RHEED, va de una superficie arrugada bidimensional en las etapas iniciales del crecimiento a una morfología de isla tridimensional. Se propone un modo de crecimiento en el cual la relajación de tensión se logra inicialmente a través de la evolución cinéticamente limitada de la morfología superficial. A diferencia de las teorías tradicionales de grosor crítico, un alivio de tensión significativo se acomoda en una morfología de isla coherente. Este estudio representa una nueva perspectiva tanto para el modo de crecimiento como para la relajación inicial de la tensión en películas delgadas.