Túnel resonante en barreras dobles de semiconductores

Se ha observado el túnel resonante de electrones en estructuras de barrera doble que tienen una delgada capa de GaAs intercalada entre dos barreras de GaAlas. La resonancia se manifiesta como picos o protuberancias en la corriente de túnel a voltajes cercanos a los estados cuasistacionarios del pozo de potencial. Las estructuras han sido fabricadas mediante epitaxia de haz molecular, que produce películas e interfaces extremadamente suaves.