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Este artículo compara un convertidor de fuente de voltaje de dos niveles (2L-VSC), un convertidor de fuente de voltaje de tres niveles con punto neutro clamp (3L-NPC VSC), un convertidor de fuente de voltaje de tres niveles con capacitor volador (3L-FLC VSC) y un convertidor de fuente de voltaje de cuatro niveles con capacitor volador (4L-FLC VSC) basándose en IGBTs de última generación de 6.5 kV, 3.3 kV y 2.5 kV para un convertidor de media tensión de 2.3 kV. Se comparan en detalle el diseño de los semiconductores de potencia, la potencia de conmutación instalada, las pérdidas del convertidor, la distribución de pérdidas en los semiconductores, las estrategias de modulación y los espectros armónicos.
Krug et al. (Sat,) estudiaron esta cuestión.