Circuito integrado CMOS SOI tridimensional utilizando cristalización lateral inducida por metal a alta temperatura

Se fabricó un circuito integrado CMOS tridimensional (3-D) basado en la tecnología convencional CMOS SOI. La primera capa de transistores se formó sobre el SOI. La segunda capa de transistores se construyó sobre polisilicio de grano grande sobre aislante (LPSOI). La película recristalizada se formó mediante la recristalización de silicio amorfo utilizando cristalización lateral inducida por metal (MILC). Los dispositivos de las capas inferior y superior se caracterizaron y los resultados indicaron que los dispositivos SOI y LPSOI tienen características eléctricas similares. Se introducen consideraciones de diseño y disposición del circuito 3-D. Se demostraron los inversores CMOS 3-D con dispositivos de canal p apilados sobre los de canal n. El oscilador de anillo mostró que el circuito 3-D tiene una reducción del 30% en el área de disposición y funciona con un suministro de energía tan bajo como 0.5 V. El menor retraso de propagación y la capacitancia de carga sugieren que el circuito 3-D tiene un rendimiento superior al del circuito bidimensional convencional (2-D).