Este artículo presenta un nuevo Diodo de Barrera Schottky de Canal tipo Aleta Modulado por la Función de Trabajo (WFM-Fin-SBD) con características eléctricas optimizadas. La arquitectura incorpora Ti como el metal Schottky en la superficie superior de la aleta para reducir el voltaje de encendido (Von) y mitigar la pérdida de conducción en avance. Al mismo tiempo, Ni se deposita selectivamente en las paredes laterales de la aleta y en el fondo de las trincheras. Esta configuración asegura un agotamiento efectivo de portadores dentro del canal de aleta bajo condiciones de cero-bias y reverse-bias, suprimiendo así la corriente de fuga inversa y mejorando el voltaje de ruptura. Como resultado, el WFM-Fin-SBD logra métricas de rendimiento superiores, incluyendo un bajo Von de 0.35 V, una resistencia en conducción específica (Ron,sp) de 6.25 mΩ•cm², y una densidad de corriente de 598 A/cm² a 6 V. Bajo polarización inversa, el efecto de agotamiento mejorado en la interfaz Ni/Ga2O3 efectivamente corta el canal conductor, lo que suprime la corriente de fuga y permite un voltaje de ruptura de -241 V, aproximadamente 5.5 veces el de los Ti-SBD convencionales. Además, las mediciones de conductancia dependientes de la frecuencia revelan que la densidad de trampas en la interfaz (Dit) del WFM-Fin-SBD se sitúa entre las de los Ti-SBD y los Ni-SBD. El Dit ligeramente elevado en comparación con el Ni-SBD se atribuye principalmente a la presencia de Ti en la parte superior de la aleta. Mientras tanto, las simulaciones TCAD explican los mecanismos físicos subyacentes. El WFM-Fin-SBD propuesto demuestra un rendimiento superior, posicionándolo como un candidato prometedor para la electrónica de potencia de alta eficiencia.
Liu et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.