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Contrariamente a estudios previos del modelo de dos bandas que encuentran que un aumento de la temperatura induciría una transición de fase topológica, mostramos aquí a través de cálculos de primeros principios que lo opuesto también es realizable, dependiendo de la estructura de banda completa del material y la simetría del potencial de acoplamiento electrón-fonón. Este hallazgo explica resultados experimentales recientes de Wojek et al. Nat. Commun. 6, 8463 (2015) NCAOBW2041-172310. 1038/ncomms9463. Mostramos que el diagrama de fase topológica de BiTl (S₁-⏓Se⏓)₂ como función de la dopaje y la temperatura contiene dos regiones distintas con topología no trivial. En BiTlS₂, los fonones promueven la fase topológica a alta temperatura, mientras que en BiTlSe₂, el sistema es llevado de nuevo a la fase trivial.
Antonius et al. (Mié,) estudiaron esta cuestión.
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