Una metodología para mejorar la linealidad de la sintonización de la resistencia variable basada en resistores de metal-óxido de tipo RRAM para la computación neuromórfica

La linealidad de la sintonización de la conductancia es un parámetro importante de la RRAM analógica para la computación neuromórfica. Este trabajo presenta una nueva metodología para mejorar la linealidad de la sintonización de la conductancia de la RRAM filamentaria. Se diseña e introduce una capa de modulación electro-térmica para controlar la distribución del campo eléctrico y la temperatura en la región del filamento. Por primera vez, se demuestra una RRAM basada en HfO x con un SET analógico lineal, un RESET analógico lineal, velocidad de 50 ns, ventana de sintonización analógica de 10×, resistencia en estado ON de 100 kΩ y alta retención de temperatura para estados multicapas. Las excelentes prestaciones de los dispositivos RRAM analógicos permiten un aprendizaje en línea de alta precisión en una red neuronal.