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Se han fabricado transistores de efecto de campo N-channel con excelentes características del dispositivo utilizando C60 como elemento activo. Las mediciones en películas delgadas de C60 en ultra alto vacío muestran relaciones on-off de hasta 106 y movilidades de efecto campo de hasta 0.08 cm2/V s.
Haddon et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.