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Los estudios de fotocapacitancia en uniones p-n de GaP han proporcionado nuevas perspectivas sobre los estados profundos asociados con el donante de O. Además del conocido estado neutro en el que O capta un electrón por 0.9 eV, se descubrió un nuevo estado en el que O capta profundamente un segundo electrón. El segundo electrón se captura en un nivel a 0.45 eV de profundidad, tras lo cual la relajación de la red aumenta la energía promedio de ionización óptica a 2.0 eV. El papel de la relajación de la red se estableció estudiando la dependencia de la temperatura de la fotoionización de los electrones atrapados. Las mediciones del perfil de la densidad del donante de O a través de la capa de depleción indicaron una disminución en la concentración de donantes de O de 1.5 × 10^16 en p a 4 × 10^14 en el lado n. Se midieron las secciones transversales ópticas y las tasas de emisión térmica de ambos electrones. Ambos electrones fueron estables por debajo de 100 ^.
Kukimoto et al. (Thu,) estudiaron esta cuestión.
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