Características de multiplicación por avalancha de diodos Al/sub 0.8/Ga/sub 0.2/As

Se han investigado las características de multiplicación por avalancha de Al/sub 0.8/Ga/sub 0.2/As en una serie de diodos p-i-n y n-i-p con anchos de región i, w, que varían de 1 /spl mu/m a 0.025 /spl mu/m. Se ha encontrado que el coeficiente de ionización del electrón, /spl alpha/, es consistentemente más alto que el coeficiente de ionización del hueco, /spl beta/, en todo el rango de campos eléctricos investigados. En contraste con Al/sub x/Ga/sub 1-x/As (x/spl les/0.6), se observó una diferencia significativa entre las características de multiplicación iniciadas por electrones y huecos de diodos Al/sub 0.8/Ga/sub 0.2/As muy delgados (w=0.025 /spl mu/m). Se encontró que los efectos de espacio muerto en los diodos con w/spl les/0.1 /spl mu/m reducían la multiplicación en baja polarización por debajo de los valores predichos a partir de los coeficientes de ionización en masa. Se han deducido /spl alpha/ y /spl beta/ efectivas que son independientes de w a partir de mediciones y son capaces de reproducir con precisión las características de multiplicación de diodos con w/spl ges/0.1 /spl mu/m y tensiones de ruptura de todos los diodos con buena precisión. Al realizar una corrección sencilla por el espacio muerto, también se predijeron con razonable precisión las características de multiplicación de diodos aún más delgados.