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Random telegraph noise of deep-submicrometer MOSFETs | Synapse

February 1, 1990

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Random telegraph noise of deep-submicrometer MOSFETs

KHKuo-Hsiang HungNational Pingtung University of Science and Technology PKP.K. KoNational Taiwan University CHChenming HuUniversity of California, Riverside

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Resumen

The random telegraph noise exhibited by deep-submicrometer MOSFETs with very small channel area (>

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Hung et al. (Thu,) studied this question.

synapsesocial.com/papers/6a1946d4ff42a97fac5802bb https://doi.org/https://doi.org/10.1109/55.46938

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