Investigación de la vida útil de portadores en epitaxiales de 4H-SiC y control de la vida útil mediante irradiación electrónica

Las vidas útiles de los portadores en epitaxiales de 4H-SiC se investigan mediante mediciones de decaimiento de fotoconductividad microondas diferencial. Cuando la concentración de Z1∕2 es superior a 10^13 cm−3, el centro Z1∕2 actúa como centro de recombinación. En este caso, las vidas útiles de los portadores muestran una dependencia positiva del nivel de inyección (número de fotones irradiados). Por otro lado, otros procesos de recombinación, como la recombinación superficial, limitan la vida útil cuando la concentración de Z1∕2 es inferior a 10^13 cm−3. En este caso, las vidas útiles de los portadores han disminuido al aumentar el nivel de inyección. Al controlar la concentración de Z1∕2 mediante irradiación electrónica de baja energía, se ha logrado el control de la vida útil.