Transiciones Ópticas Interbanda en Semiconductores Extremadamente Anisotrópicos. I. Absorción de Excitones Aislados y No Aislados

Utilizando la teoría de masa efectiva para excitones, se discuten las transiciones interbanda directas permitidas y prohibidas en semiconductores extremadamente anisotrópicos. En este caso, el problema se reduce a resolver la ecuación de Schrödinger para un átomo de hidrógeno bidimensional hipotético. Se obtienen las soluciones aisladas y no aisladas de la ecuación, y se calculan las intensidades de absorción en las regiones espectrales discretas, cuasi-continuas y continuas. Se muestra que, en las transiciones permitidas, puede aparecer un pequeño pico justo por encima del borde de absorción debido a la interacción de Coulomb entre un electrón excitado y un hueco. Este resultado se compara con las curvas experimentales de absorción en semiconductores tipo capa, CaS, GaSe y GaTe.