Grabado anisotrópico de silicio

El grabado anisotrópico de silicio se ha convertido en una tecnología importante en el procesamiento de semiconductores de silicio durante los últimos diez años. Continuará ganando prestigio y aceptación como tecnología de procesamiento estándar en los próximos años. El grabado anisotrópico de silicio de orientación (100) se utiliza ampliamente hoy en día y la tecnología de orientación (110) está emergiendo. Este artículo discute el grabado dependiente de la orientación y el grabado dependiente de la concentración de silicio (100) y (110). Se pueden diseñar pasos de control de proceso muy exactos en un proceso mediante el uso de grabado anisotrópico (100) y grabado dependiente de la concentración. También se presentan métodos de detección de agujeros de pin de óxido o nitruro en silicio (100). Se muestran alineaciones de máscara para obtener diferentes terminaciones en el frente de grabado en silicio (100) y (110). Se obtienen estructuras de alta densidad de empaquetamiento, menores de 1 μm, en la tecnología (110), y se obtienen proporciones de grabado extremadamente altas de más de 650 a 1 en el grabado dependiente de la orientación (110). Se describen algunas de las muchas aplicaciones para el grabado anisotrópico y dependiente de la concentración.