Modulador de microrAnillo de silicio de 25 Gbit/s basado en uniones PN entrelazadas tolerantes a la desalineación

Se demuestra un modulador de microrAnillo de silicio de modo de agotamiento de alta velocidad con uniones PN entrelazadas optimizadas para alta eficiencia de modulación y gran tolerancia a la alineación. Se fabrica utilizando procesos estándar de semiconductores de óxido metálico complementario de 0.18 μm y proporciona bajos V(π)L(π) de 0.68 V·cm a 1.64 V·cm con una concentración de dopaje moderada de 2 × 10(17) cm(-3). La eficiencia de modulación medida disminuye solo un 12.4% bajo errores de alineación de ± 150 nm. Se realiza experimentalmente una modulación no retorno cero de 25 Gbit/s con una relación de extinción de 4.5 dB a un voltaje de manejo pico a pico de 2 V, demostrando el excelente rendimiento del nuevo perfil de dopaje.