Análisis Espectral de los Rendimientos Fotoemisivos en Si, Ge, GaAs, GaSb, InAs e InSb

Se analizan en detalle los datos de Allen y Gobeli sobre los rendimientos fotoemisivos de superficies parcialmente cesiadas de varios semiconductores con energías de fotones entre 2 y 6 eV. Los resultados son consistentes con transiciones directas en modelos de bandas de energía obtenidos de pseudopotenciales semiempíricos basados en bordes ópticos de bandas. La correlación con la estructura de reflectividad es buena, y se resuelven varias nuevas transiciones que no eran evidentes en estudios ópticos previos.