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La conductividad de electrones en la capa de inversión de silicio se ha medido de 0 a 40 cm^-1 a 1.2^ en los regímenes metálico y localizado. La correlación entre (T) y () en el régimen localizado sugiere que la caída en la conductividad a bajas concentraciones de electrones es causada por la aparición de un hueco en el nivel de Fermi.
Allen et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.