Transporte térmico y eléctrico en aleaciones de InAs-GaAs

La conductividad térmica, el coeficiente de Seebeck y la resistividad eléctrica se han medido en función de la temperatura para varias concentraciones de impurezas y composiciones de aleación. Se han realizado mediciones a temperatura ambiente de la movilidad de Hall y la determinación óptica de las masas efectivas de electrones. Las aleaciones tipo n entre el 50 y el 70% en moles de InAs, dopadas con selenio para dar resistividades a temperatura ambiente de 4 a 8×10−4Ω·cm, generan un óptimo factor de mérito. Se midió que el factor de mérito máximo a 700°K fue de 0.98×10−3 deg−1. Las aleaciones tipo p (30%–70% InAs) dopadas con zinc dieron un factor de mérito máximo de solo 0.4×10−3 deg−1 a 700°K. Las movilidades de Hall y los coeficientes de Seebeck a temperatura ambiente de las aleaciones tipo p son más bajos de lo que podría anticiparse. Se encontró que las masas efectivas de electrones varían uniformemente con la composición.