Movilidades de huecos y electrones altas y equilibradas de transistores de película delgada ambipolares basados en oligoacenos que contienen nitrógeno

Demostramos una estrategia para diseñar materiales de transistores de efecto de campo (FET) ambipolares basados en acenos de alto rendimiento, que se basa en el reemplazo de grupos C-H por átomos de nitrógeno en oligoacenos. Usando esta estrategia, se sintetizaron dos semiconductores orgánicos, 6,13-bis(triisopropilsililetilino)antradipiridina (1) y 8,9,10,11-tetrafluoro-6,13-bis(triisopropilsililetilino)-1-azapentaceno (3), y se estudiaron sus características de FET. Ambos materiales exhiben movilidades de huecos y electrones altas y equilibradas, con 1 teniendo μ(h) y μ(e) de 0.11 y 0.15 cm(2)/V·s y 3 teniendo μ(h) y μ(e) de 0.08 y 0.09 cm(2)/V·s, respectivamente. La exitosa demostración de altas y equilibradas propiedades FET ambipolares de oligoacenos que contienen nitrógeno abre nuevas oportunidades para diseñar semiconductores orgánicos ambipolares de alto rendimiento.