Estudio experimental de la interfaz GaP-Si

Se estudió la formación de la interfaz entre sustratos de GaP(110) cortados y capas delgadas de Si utilizando técnicas de fotoemisión con radiación de sincrotrón. La información experimental incluyó mediciones de las discontinuidades de la banda de valencia y de conducción, así como de la curvatura de la banda del sustrato. En particular, buscamos posibles efectos de ordenación de la capa delgada sobre las discontinuidades en las interfaces recocidas. No se encontraron cambios en la discontinuidad inducidos por el recocido dentro de la incertidumbre experimental de 0.1 eV. Por el contrario, la curvatura de la banda del sustrato cambió drásticamente debido al proceso de recocido.