Conmutación resistiva de alta velocidad de película delgada nano-cristalina de TiO2/TiN

Se observó conmutación resistiva de alta velocidad en una película delgada nano-cristalina de TiO2/TiN intercalada entre electrodos de platino. Se logró un estado de baja resistencia aplicando un solo pulso eléctrico de -2.0 V de amplitud y 20 ns de ancho, mientras que se logró un estado de alta resistencia aplicando un solo pulso eléctrico de +2.2 V de amplitud y 30 ns de ancho. No se requirió el llamado proceso de formación, que consiste en calentar el material del bit mediante el flujo de corriente para formar un camino filamentoso conductor antes de la operación de conmutación resistiva. Hubo un aumento de aproximadamente 40,000% en el cambio resistivo que se obtuvo repetidamente en el sistema.