Junciones p+-n superficiales fabricadas mediante la implantación de haz de iones enfocados Ga+ a través de capas delgadas de Ti y TiSi2

La implantación de haz de iones enfocados Ga+ a través de capas de metal Ti (ITM) y TiSi2 (ITS), seguida de un recocido térmico rápido (RTA), se ha investigado para su aplicación en la tecnología de silicona autoalineada. La energía de Ga+ se varió de 25 a 50 keV a dosis de 1×1013 y 1×1015 cm−2, seguida de RTA a 600 °C durante 30 s. Se obtuvieron perfiles de profundidad de los implantes de Ga realizando espectrometría de masas con iones secundarios. Se observó que los implantes de mayor energía y mayor dosis generaban buenas características de las uniones p+-n. Se fabricaron diodos para obtener las propiedades eléctricas de estas uniones silicidadas. A energías de implantación más altas (≥40 keV) y todas las dosis, las características I-V de los diodos ITS mostraron corrientes de fuga (Ir) 100 veces más bajas que los diodos ITM. Para la implantación de baja energía (40 keV)/alta dosis, los diodos ITS mostraron una ligera mejora en Ir sobre los diodos ITM, mientras que para la implantación de baja energía/baja dosis se observó el mismo Ir.