Una tecnología de memoria de cambio de fase de generación de 45 nm

Se ha desarrollado una tecnología de PCM de generación de 45 nm con una celda efectiva tan pequeña como 0.015 µm² en un producto de 1 Gb. Se informan buenas propiedades eléctricas y resultados de fiabilidad, confirmando que el PCM ha alcanzado la madurez para convertirse en una tecnología convencional para aplicaciones de memoria no volátil de alta densidad.