Rol de los orbitales d en los desplazamientos de la banda de valencia de semiconductores de aniones comunes

Mostramos a través de cálculos de estructura electrónica de primer principios con electrones completos de niveles centrales que, contrariamente a expectativas previas, los desplazamientos de la banda de valencia en los semiconductores de aniones comunes AlAs-GaAs y CdTe-HgTe son decididos principalmente por efectos intrínsecos de volumen y que la transferencia de carga en la interfaz tiene un pequeño efecto sobre estas cantidades. El fracaso de modelos anteriores se muestra que resulta principalmente de su decisión de omitir los orbitales d de cationes.