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Reportamos la primera observación de resonancias magnetofonónicas en el sistema electrónico bidimensional en heterojunciones de interfaz simple GaAs-AlₗGa₁-ₗAs y superredes de heterojunciones. Resultan de la dispersión inelástica entre niveles de Landau con absorción resonante de fonones LO de GaAs y producen una masa de polarón {m}^*= (0. 0770. 004) m₄.
Tsui et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.