Tunnelado de solitones y ondas de densidad de carga a través de impurezas

En presencia de potenciales de impureza que acoplan directamente a la fase de las ondas de densidad de carga, el estado fundamental así como las excitaciones de solitones están fijados. Se calcula el túnel cuántico de un solitón de sine-Gordon a través de un potencial de impureza. La pequeña probabilidad de túnel incluso para un potencial de impureza moderado significa que la conductividad debida a los solitones se reducirá considerablemente. También estudiamos la dependencia del campo eléctrico y la temperatura de una onda de densidad de carga fijada por impurezas cuando se toma en cuenta el túnel cuasiclásico. Se encuentra que la dependencia de la temperatura está dominada por la excitación térmica simple y que la conductividad se activa tanto en los límites de fuerte como de débil fijación.