Influencia de la inyección de portadores en el cambio resistivo de películas delgadas de TiO2 con electrodos de Pt

Se estudió la influencia de la inyección de electrones en el cambio resistivo inducido por pulso eléctrico de la estructura de película delgada de Pt∕TiO2/Pt mediante mediciones de corriente-tensión (I-V). La inyección de electrones se aumentó mediante el recocido de la muestra en una atmósfera de N2 o midiendo las características I-V a altas temperaturas (100°C). El cambio del estado de alta resistencia (HRS) al estado de baja resistencia se suprimió cuando la inyección de portadores por emisión de Schottky o conducción limitada por carga espacial (SCLC) fue excesiva. La barrera de potencial interfacial desempeñó un papel crucial en la determinación de la inyección de portadores. Se observó un cambio (no observado) cuando la resistencia HRS era baja (alta) aunque se observó SCLC.