Unión de obleas para tecnologías de silicio sobre aislante

Se describe un proceso de unión de obleas de silicio en el que solo hay óxido crecido térmicamente presente entre pares de obleas. La unión ocurre después de la inserción en un ambiente oxidante. Se propone que las obleas son atraídas a un contacto íntimo como resultado de que el oxígeno gaseoso entre ellas es consumido por la oxidación, produciendo así un vacío parcial. El mecanismo de unión propuesto es la polimerización de enlaces silanol entre los pares de obleas. El silicio sobre aislante (SOI) se produce al grabar todo menos unos pocos micrones de uno de los pares unidos. Las mediciones del capacitor muestran un tiempo de vida de portadores minoritarios de 27 μs y ninguna degradación de la interfaz SOI-aislante. Además, hay una carga negligente en la interfaz de unión, haciendo la técnica atractiva para aplicaciones de SOI tridimensionales así como planas.