Transferencia direccional de spin-valle intercapas en heteroestructuras bidimensionales

Resumen Las heteroestructuras de Van der Waals formadas por dos semiconductores de una sola capa diferentes han surgido como una plataforma prometedora para nuevas aplicaciones optoelectrónicas y de spin/valletrónica. Además de su naturaleza atómicamente delgada, una heteroestructura de semiconductores bidimensionales se distingue de sus contrapartes tridimensionales debido a la única física acoplada de spin-valle de sus monolayers constituyentes. Aquí, informamos la observación directa de que una polarización de spin-valle generada ópticamente en una monolayer puede ser transferida entre capas de una heteroestructura de MoSe 2 –WSe 2 bidimensional. Utilizando espectroscopía de dicromatismo óptico circular no degenerado, mostramos que la transferencia de carga entre dos monolayers conserva la polarización de spin-valle y es solo débilmente dependiente del ángulo de torsión entre las capas. Nuestro trabajo señala un nuevo esquema de bombeo de spin-valle en dispositivos a nanoescala, proporciona una comprensión fundamental de la transferencia de spin-valle a través de la interfaz bidimensional y muestra el uso potencial de semiconductores bidimensionales como generador de spin-valle en dispositivos bidimensionales de spin/valletrónica para el almacenamiento y procesamiento de información.