Figura de mérito termoelectro provocada en aleaciones masivas de silicio-germanio tipo p con nanoestructuras

Se logra una figura de mérito termoelectro dimensional (ZT) de 0.95 en aleaciones masivas de silicio-germanio (SiGe) tipo p con nanoestructuras, que es aproximadamente un 90% más alta que la utilizada actualmente en misiones de vuelo espacial, y un 50% más alta que el récord informado en aleaciones de SiGe tipo p. Estos materiales masivos nanoestructurados se fabricaron mediante un prensado en caliente inducido por corriente continua de nanopolvos aleados mecánicamente que fueron inicialmente sintetizados por molienda de bolas de trozos de Si y Ge de grado comercial con polvo de boro. La mejora de ZT se debe a una gran reducción de la conductividad térmica causada por el aumento de la dispersión de fonones en los límites de granos de las nanoestructuras, combinada con un aumento del factor de potencia a altas temperaturas.