Estados de trampa de portadores de carga en películas de pentaceno estudiados por fotocorriente modulada

La técnica de fotocorriente modulada (MPC) se emplea para estudiar los estados de trampa de los portadores de carga en películas de pentaceno. Las características de los espectros experimentales de MPC se encontraron compatibles con el proceso de atrapamiento-liberación de agujeros en estados de banda prohibida, en los que su ocupación puede ser modificada por la iluminación de sesgo. Se dedujo un nivel de energía de demarcación que separa trampas vacías de trampas parcialmente ocupadas a partir de los espectros de MPC, que se puede utilizar para monitorear cambios inducidos por la luz de sesgo en el nivel de Fermi cuasi. Se extrajo una distribución de trampas exponencial debido al desorden estructural y una distribución de trampas gaussiana metastable profunda a partir de impurezas ambientales adsorbidas mediante la espectroscopía de MPC. Se dedujo una frecuencia de intento de escape del orden de 10¹⁰ s⁻¹ para los estados de banda prohibida. Las distribuciones de trampas derivadas coinciden con las encontradas anteriormente mediante otras técnicas. Los resultados presentes indican que la técnica de MPC puede utilizarse como una herramienta valiosa para la caracterización de películas de pentaceno, ya que también puede aplicarse a muestras de efecto de campo.