Fluctuaciones de conductancia universal en nanostructuras de capa de inversión de silicio

Medimos las variaciones de conductancia de segmentos de capa de inversión submicrométrica en dispositivos de silicio, cambiando sistemáticamente la longitud, el ancho, la longitud de difusión inelástica, el voltaje de puerta, el campo magnético y la temperatura. Los resultados concuerdan con la teoría de fluctuaciones universales de conductancia, demostrando que la interferencia cuántica aleatoria causa cambios de conductancia rms = e^2/h en cada subunidad coherente de fase de cada segmento. La interferencia cuántica aleatoria es extremadamente sensible al cambio de un solo dispersor.