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सार अल्ट्रा-लो-पावर खपत और उच्च-गति एकीकृत स्विच भविष्य के डेटा सेंटर और उच्च-प्रदर्शन ऑप्टिकल कंप्यूटरों के लिए अत्यधिक वांछनीय हैं। इस अध्ययन में, हमने फाउंड्री प्लेटफॉर्म पर फोटोनिクリस्टल नैनोबीम कैविटीज पर आधारित एक अल्ट्रा-लो-पावर खपत सिलिकॉन इलेक्ट्रो-ऑप्टिक स्विच का प्रस्तावित किया। प्रस्तावित स्विच ने 0.10 mW का अल्ट्रा-लो स्थैतिक-ट्यूनिंग पावर और 6.34 fJ/bit का अनुमानित गतिशील स्विचिंग पावर दिखाया, जिसमें 18 μm × 200 μm का संकीर्ण आकार है। इसके अतिरिक्त, प्रस्तावित इलेक्ट्रो-ऑप्टिक स्विच की उच्च गति डेटा ट्रांसमिशन का समर्थन करने की क्षमता को सत्यापित करने के लिए 136-Gb/s चार-स्तरीय पल्स अम्प्लीट्यूड मॉड्यूलेशन सिग्नल ट्रांसमिशन प्रयोग किया गया। प्रस्तावित उपकरण में सिलिकॉन इलेक्ट्रो-ऑप्टिक स्विचेस में सबसे कम स्थैतिक-ट्यूनिंग पावर खपत और उच्चतम डेटा ट्रांसमिशन दर है। परिणाम इस स्विच के उच्च-प्रदर्शन ऑप्टिकल कंप्यूटरों, डेटा सेंटर इंटरकनेक्ट्स, ऑप्टिकल न्यूरल नेटवर्क, और प्रोग्रामेबल फोटोनिक सर्किट्स में संभावित अनुप्रयोगों को दर्शाते हैं।
झोंग एट अल। (शुक्रवार,) ने इस प्रश्न का अध्ययन किया।