ऑक्सीजन रिक्ति के आधार पर LAGO:Cr में निकट अवरक्त मेकैनोल्यूमिनेसेंस स्विच को पहचानना

संक्षेप में, मेकैनोल्यूमिनेसेंस (ML) सामग्री बाहरी उत्तेजनाओं के उत्तर में "बल से प्रकाश" की विशेषता से युक्त होती है, जिससे कृत्रिम बुद्धिमत्ता और ऑप्टिकल संवेदनाओं में बड़ी प्रगति हुई है। हालाँकि, सामग्री में ML को प्रभावी ढंग से सक्षम करने के लिए कैसे किया जाए, यह एक चुनौतीपूर्ण कार्य है। यहां एक Lu 3 Al 2 Ga 3 O 12 :Cr 3+ (LAGO: Cr 3+ ) निकट अवरक्त (NIR) ML सामग्री 706 nm पर पीक की गई है, जो ऑक्सीजन रिक्ति (O v ) दोषों को "उगाने" के लिए Al 3+ के लिए Ga 3+ प्रतिस्थापन की लटेस-इंजीनियरिंग रणनीति द्वारा ML को अनलॉक करने की कुंजी को सफलतापूर्वक प्राप्त करती है। थर्मोल्यूमिनेसेंस माप के साथ मिलकर, अवलोकित ML दोष स्तरों के निर्माण के कारण है और ML तीव्रता इसके समानुपाती है। यह X-रे फोटोelectron spectroscopy और इलेक्ट्रॉन पैरामैग्नेटिक резोनанс द्वारा पुष्टि की गई है कि इस प्रक्रिया पर O v का प्रभुत्व है, जो इस यौगिक में ML को चालू करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। इसके अलावा, 4 T 2 और 2 E स्तर संक्रमणों से संभावित ML उत्सर्जन पर प्रयोगात्मक और सैद्धांतिक दोनों पक्षों से चर्चा की गई है। यह अध्ययन कैशन प्रतिस्थापन के बाद ML व्यवहार में परिवर्तन के तंत्र को प्रकट करता है, और इसका O v दोष-नियंत्रित ML को चालू करने के व्यावहारिक अनुप्रयोग के लिए महत्वपूर्ण निहितार्थ हो सकता है।