संक्षेप में, दो-आयामी सामग्रियों पर आधारित वैन डेर वाल्स हेटेरोस्ट्रक्चर उच्च-प्रदर्शन ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के डिज़ाइन के लिए एक विस्तृत मंच प्रदान करते हैं। फिर भी, चौड़ी स्पेक्ट्रल पहचान की क्षमता वाले उत्कृष्ट उपकरण आर्किटेक्चर का विकास, जबकि नई कार्यक्षमताओं जैसे ऑप्टिकल इमेजिंग, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक सायनैप्टिक सिमुलेशन, और पुनर्गठनीय लॉजिक कार्यों के साथ अंतर्निहित संगतता बनाए रखना, एक महत्वपूर्ण चुनौती बनी हुई है। यह लेख NiPS 3 /GaN प्रकार-II बैंड संरेखण हेटेरोस्ट्रक्चर पर आधारित एक बहुपरकारी फोटोdetector की रिपोर्ट करता है। उपकरण में पराबैंगनी (365 न्यूमोन) से दृश्य प्रकाश (700 न्यूमोन) तक की चौड़ी स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया होती है, और इसका फोटोकरेंट एक अलग सामग्री के उपकरण की तुलना में पांच क्रमों से अधिक होता है। ग्रेफीन को संपर्क परत के रूप में पेश करने से, उपकरण की प्रतिक्रिया गति दोगुनी हो जाती है, जबकि इसके 365 और 450 न्यूमोन के प्रकाशन के तहत रिस्पॉन्सिविटीज क्रमशः 2.4 A/W और 54.8 mA/W से 18.2 A/W और 206.9 mA/W तक बढ़ जाती हैं, जो कई गुना वृद्धि को दर्शाती हैं। आगे की रिसर्च से पता चलता है कि हेटेरोस्ट्रक्चर में फोटोथर्मल, फोटोवोल्टाइक, और फोटोसंवेदनशील प्रभावों के बीच प्रतिस्पर्धात्मक संबंध को बायस वोल्टेज को समायोजित करके गतिशील रूप से नियंत्रित किया जा सकता है, जिससे उपकरण के अस्थायी प्रतिक्रिया व्यवहार का प्रभावी मॉड्यूलेशन प्राप्त होता है। इस भौतिक तंत्र पर आधारित, उपकरण पराबैंगनी इमेजिंग, फोटोइलेक्ट्रिक सायनैप्स (94.7% हस्तलिखित अंकों की पहचान सटीकता प्राप्त करना), और पुनर्गठनीय ऑप्टिकल लॉजिक गेट्स में अनुप्रयोग क्षमता दिखाता है। यह कार्य बहुपरकारी चौड़े-पट्टी फोटोdetectors के विकास के लिए एक नया डिज़ाइन विचार प्रदान करता है।
ये और अन्य (गुर,) ने इस प्रश्न का अध्ययन किया।