उच्च-प्रभावी मल्टी-बैंड-गैप सौर कोशिकाओं के लिए एक नई दृष्टि

केंद्रित सौर कोशिकाओं में अवशोषक के रूप में मल्टी-क्वांटम-वेल या सुपरलैटिस सिस्टम के उपयोग के लाभों पर चर्चा की गई है। क्वांटम-वेल की चौड़ाई को समायोजित करके, एक प्रभावी बैंड-गैप भिन्नता प्राप्त की जा सकती है जो सौर स्पेक्ट्रम के उच्च-प्रभावी क्षेत्र को कवर करती है। अलग-अलग करंट और वोल्टेज उत्पन्न करने वाले कारकों को अनुकूलित करने की क्षमता के कारण उच्च दक्षता प्राप्त होनी चाहिए। अच्छे कैरियर पृथक्करण और संग्रह सुनिश्चित करने और उच्च ओपन-सर्किट वोल्टेज प्राप्त करने के लिए उपयुक्त संरचनाएं (AlGa)As/GaAs/(InGa)As सिस्टम का उपयोग करके प्रस्तुत की गई हैं। मौजूदा एकल-बैंड-गैप सीमाओं से उच्च दक्षता प्राप्त की जा सकती है, जिसमें ऊपरी सीमाएं 40% से अधिक हो सकती हैं।