क्या हाइब्रिड ऑर्गेनिक-इनऑर्गेनिक हेलाइड पेरोव्स्काइट्स में गतिशीलताओं को वास्तव में "उच्च" माना जा सकता है?

हम सामान्य हाइब्रिड ऑर्गेनिक-इनऑर्गेनिक पेरोव्स्काइट्स (HOIPs) की इलेक्ट्रॉनिक कैरियर गतिशीलताओं पर एक प्रयोगात्मक और सैद्धांतिक दृष्टिकोण प्रस्तुत करते हैं। जबकि इन गतिशीलताओं को अक्सर उच्च माना जाता है, एक समीक्षा से यह स्पष्ट होता है कि हालांकि HOIPs के अर्धचालक गुण प्रभावशाली अच्छे होते हैं, अधिकांश सौर कोशिकाओं में उपयोग किए जाने वाले HOIPs की गतिशीलताएँ वास्तव में इतनी ऊंची नहीं होती हैं। यदि इनकी तुलना अन्य उच्च कुशल सौर कोशिकाओं में उपयोग किए जाने वाले अकार्बनिक अर्धचालकों से की जाए तो यह विशेष रूप से स्पष्ट होता है। हम संभावित कारणों की गंभीरता से जांच करते हैं और ऐसे इलेक्ट्रॉन-लैटिस युग्मन तंत्रों पर ध्यान केंद्रित करते हैं जो कमरे के तापमान पर सक्रिय होते हैं और कैरियर स्कैटरिंग का कारण बन सकते हैं। हम यह सुझाव देते हैं कि ध्वनि फोनों या पोलारों के कारण होने वाली स्कैटरिंग संभावित कारण हो सकते हैं, लेकिन साहित्य में अन्य प्रयोगात्मक और सैद्धांतिक निष्कर्षों के आलोक में प्रत्येक में आने वाली कठिनाइयों की ओर भी संकेत करते हैं। इस दिशा में आगे का शोध HOIP सौर कोशिकाओं को और अधिक कुशल बनाने में योगदान देगा।