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हम तरल पूर्ववर्ती आधारित रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) तकनीक द्वारा नाइट्रोजन-डोप्ड ग्रेफीन परतों की नियंत्रित वृद्धि प्रदर्शित करते हैं। नाइट्रोजन-डोप्ड ग्रेफीन को सीधे Cu करंट कलेक्टर्स पर उगाया गया और इसके पुनरावर्ती Li-आयन इंटरकेलेशन गुणों का अध्ययन किया गया। N-डोप्ड ग्रेफीन की पुनरावर्ती डिस्चार्ज क्षमता लगभग शुद्ध ग्रेफीन की तुलना में दोगुनी है, जो N-डोपिंग के कारण उत्पन्न बड़ी संख्या में सतह दोषों के कारण है। सभी ग्रेफीन फिल्मों की पहचान रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी, ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी, और एक्स-रे फोटोएमिशन स्पेक्ट्रोस्कोपी द्वारा की गई। सक्रिय इलेक्ट्रोड सामग्री का सीधे करंट कलेक्टर सब्सट्रेट्स पर बढ़ना इस प्रक्रिया को वर्तमान बैटरी निर्माण प्रौद्योगिकी में एक व्यावहारिक और कुशल प्रक्रिया बनाता है।
रेड्डी एट अल। (शुक्रवार,) ने इस प्रश्न का अध्ययन किया।