स्पिन ध्रुवीकृत चार्ज परिवहन के लिए अत्यधिक विकृत चिरल द्वि-आयामी टिन आयोडाइड पेरोव्स्काइट्स

चिरल कार्बनिक अणुओं को कार्बनिक/अकार्बनिक हाइब्रिड 2D धातु-हलाइड पेरोव्स्काइट्स में शामिल करने से चिरल हाइब्रिड सेमीकंडक्टर के एक नए परिवार का निर्माण होता है जिनमें अद्वितीय स्पिन-निर्भर गुण होते हैं। एम्बेडेड चिरल ऑर्गेनिक भाग अकार्बनिक धातु-हलाइड सबलैटिस से चिरोप्टिकल प्रतिक्रिया को प्रेरित करते हैं। हालांकि, चिरल ऑर्गेनिक अणुओं और अकार्बनिक सबलैटिस के बीच संरचनात्मक अंतःक्रिया, साथ ही परिणामी इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना पर उनके सहयोगात्मक प्रभाव को व्यापक सामग्री परिप्रेक्ष्य में खोजा जाना चाहिए। यहाँ हम तीन नए स्तरित टिन आयोडाइड पेरोव्स्काइट्स प्रस्तुत करते हैं जो चिरल (R/S-)मेथिलबेंजीलामोनियम (R/S-MBA) द्वारा टेम्पलेटेड हैं, अर्थात्, (R-/S-MBA)2SnI4, और उनके रेसमिक चरण (rac-MBA)2SnI4। ये MBA2SnI4 यौगिक किसी अन्य रिपोर्ट किए गए स्तरित टिन आयोडाइड पेरोव्स्काइट की तुलना में ऑक्टाहैड्रल बंधनों के विकृति के सबसे बड़े स्तर को प्रदर्शित करते हैं। चिरल MBA कैटायनों का समावेश अकार्बनिक Sn-I सबलैटिस से वृत्ताकार रूप से ध्रुवीकृत अवशोषण की ओर ले जाता है, जो 300-500 एनएम तरंग दैर्ध्य रेंज में चिरोप्टिकल गतिविधि प्रदर्शित करता है। बैंडगैप और चिरोप्टिकल गतिविधि को Pb के साथ Sn के मिश्रण द्वारा समायोजित किया जाता है, (MBA)2Pb1-xSnxI4 की श्रृंखला में। अंत में, हम दिखाते हैं कि तिरछे (R-/S-MBA)2SnI4 पतली फिल्म्स के माध्यम से ऊर्ध्वाधर चार्ज परिवहन बहुत ही स्पिन-निर्भर है, जो चिरल-प्रेरित स्पिन चयनात्मकता (CISS) प्रभाव से उत्पन्न होती है। हम करंट-वाल्टेज विशेषताओं में 94% तक की स्पिन-ध्रुवीकरण प्रदर्शित करते हैं। हमारा कार्य इन चिरल हाइब्रिड सेमीकंडक्टर के स्पिन और चार्ज की स्वतंत्रता को नियंत्रित करने की विशाल संभावनाओं को दर्शाता है।