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अत्यधिक क्रिस्टलीय MoS2 परमाणु परतों का नियंत्रित संश्लेषण इस नवोदित सामग्री के व्यावहारिक अनुप्रयोगों के लिए एक चुनौती बना हुआ है। यहाँ, हमने MoO2 सूक्ष्म क्रिस्टलों के परत-दर-परत सल्फरकरण द्वारा नियंत्रित परतों की संख्या के साथ रंबोइड आकार में MoS2 फ्लेक्स का संश्लेषण करने के लिए एक दृष्टिकोण विकसित किया। प्राप्त MoS2 फ्लेक्स ने ~10 μm के क्रिस्टल डोमेन आकार के साथ उच्च क्रिस्टलीनता दिखाई, जो अन्य विधियों द्वारा उगाए गए MoS2 के अनाज आकार से काफी बड़ा है। उच्च क्रिस्टलीनता के परिणामस्वरूप, इन MoS2 फ्लेक्स पर आधारित बैक-गेटेड फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FETs) का प्रदर्शन यांत्रिक रूप से एक्सफोलेटेड फ्लेक्स पर आधारित FETs के समान था। यह सरल दृष्टिकोण MoS2 परमाणु परतों के नियंत्रित संश्लेषण के लिए एक नया रास्ता खोलता है और इस अत्यधिक क्रिस्टलीय सामग्री को बुनियादी पहलुओं और विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए आसानी से सुलभ बनाएगा।
Wang et al. (Thu,) ने इस प्रश्न का अध्ययन किया।