क्वांटम अनुप्रयोगों के लिए सतह ध्वनिक तरंग एकतरफा ट्रांसड्यूसर

क्वांटम अनुप्रयोगों के उद्देश्य से विभिन्न प्रकार के सुपरकंडक्टिंग ट्रांसड्यूसर में इलेक्ट्रिक माइक्रोवेव संकेतों का सतह ध्वनिक तरंगों में रूपांतरण दक्षता का अध्ययन किया गया है। हम 2.3 GHz और 10 mK पर पारंपरिक सममित ट्रांसड्यूसर (IDTs) या एकतरफा ट्रांसड्यूसर (UDTs) वाले देरी लाइनों की तुलना करते हैं। UDT देरी लाइनों ने 4.7 dB के साथ सम्मिलन हानि में सुधार किया है और प्रत्येक UDT के लिए 22 dB की निर्देशता पाई गई है, जो यह संकेत करती है कि 99.4% ध्वनिक शक्ति वांछित दिशा में जाती है। अवांछित दिशा में खोई हुई शक्ति IDT देरी लाइनों में कुल हानि का 90% से अधिक हिस्सा बनाती है, लेकिन तैरते इलेक्ट्रोड एकतरफा ट्रांसड्यूसर देरी लाइनों में केवल ∼3% कुल हानि में है।